时间：2025/9/2 11:01:55
阅读：11
H27U8G8T2BTR-BC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片。这款芯片属于高密度、高性能的NAND闪存器件，广泛用于需要大容量存储的应用场景，如固态硬盘（SSD）、嵌入式存储系统、USB闪存盘以及各种消费类电子产品中。H27U8G8T2BTR-BC 采用TSSOP封装形式，具备较高的读写速度和较长的使用寿命，适合用于需要频繁读写和高可靠性的应用场景。
容量：8Gb
类型：NAND Flash
封装：TSSOP
电压范围：2.7V - 3.6V
接口：Parallel NAND
工作温度：-40°C 至 +85°C
页面大小：2KB
块大小：128KB
擦除时间：2ms
编程时间：200μs
H27U8G8T2BTR-BC NAND闪存芯片具有多个显著的技术特性。首先，它采用了先进的CMOS制造工艺，能够在低功耗下提供高性能的读写操作。其8Gb的存储容量适用于多种存储需求，尤其是需要高密度存储的嵌入式设备。该芯片支持页编程、块擦除等标准NAND操作，并具备较高的耐用性，通常可支持10万次以上的擦写周期。
此外，H27U8G8T2BTR-BC具备ECC（错误校正码）功能，在数据读取过程中可以检测并纠正一定的错误，提高了数据存储的可靠性。其TSSOP封装形式不仅节省空间，还便于PCB布局和自动化生产。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在工业环境和恶劣条件下稳定运行。
接口方面，该芯片采用并行NAND接口，支持高速数据传输，适用于需要快速读写的应用场景。同时，该芯片支持多种命令集，便于与主控芯片进行通信和控制，提高了系统的兼容性和灵活性。
H27U8G8T2BTR-BC NAND闪存芯片主要应用于需要非易失性存储的设备中。常见的应用包括固态硬盘控制器搭配使用的缓存存储、嵌入式系统中的操作系统和数据存储、便携式电子设备如MP3播放器、数码相机和手持终端等。由于其高可靠性和宽工作温度范围，该芯片也适用于工业自动化、车载电子系统和网络通信设备等对环境要求较高的领域。
在消费类电子产品中，H27U8G8T2BTR-BC可用于存储固件、应用程序和用户数据。在通信设备中，该芯片可用于存储配置信息和日志数据。同时，该芯片也常用于需要临时存储大量数据的场合，如视频监控系统中的本地存储模块。
H27U8G8T2BTR-BC的替代型号包括H27U1G8F2BTR、H27U2G8F2BTR 和 H27U4G8F2BTR 等不同容量的NAND闪存芯片。此外，其他厂商如Micron和Samsung也有类似的NAND闪存产品可供替代，例如MT29F8G08TAAAWP和K9F8G08U0A等型号。
