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HM628512CLTT-7 发布时间 时间:2025/9/7 18:20:37 查看 阅读:6

HM628512CLTT-7是一款由HITACHI(现为Renesas)生产的高性能静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为512K位(64K x 8位),采用高速CMOS工艺制造。该芯片广泛应用于需要高速数据存取的嵌入式系统和工业控制设备中。

参数

容量:64K x 8位
  电压范围:4.5V 至 5.5V
  访问时间:7ns(最大)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  封装尺寸:54-TSOP
  输入/输出电平:TTL兼容
  封装材料:塑料

特性

HM628512CLTT-7是一款高速SRAM芯片,具备低功耗和高速访问的双重优势。
  其访问时间仅为7ns,适用于对数据存取速度要求较高的系统应用。
  该芯片的工作电压范围为4.5V至5.5V,具备较强的电压适应能力,适合多种电源设计环境。
  采用CMOS工艺制造,使得芯片在高速运行的同时仍能保持较低的功耗水平。
  此外,该芯片的TTL兼容输入/输出接口使其能够方便地与多种控制器和处理器连接。
  支持工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),确保在严苛环境下也能稳定运行。
  TSOP封装形式不仅减小了芯片的体积,也有助于提高电路板的空间利用率,适合高密度电路设计。

应用

该芯片主要应用于工业控制系统、网络设备、通信设备、打印机、复印机、测试设备以及嵌入式系统中。
  由于其高速性能和宽温特性,特别适用于需要快速数据缓冲和临时存储的场合,如缓存存储器、数据暂存器等。
  此外,HM628512CLTT-7也可用于老式计算机扩展内存、嵌入式控制器系统、图形处理模块等需要高速SRAM的场景。
  其TTL兼容接口和宽电压设计使其易于集成到各种电子系统中,尤其适合对可靠性和稳定性有较高要求的工业和通信设备。

替代型号

CY62148EVLL-70ZE3, IS62WV5128ALLBLL-55BLI, IDT71V416SA9B25PI, HM628512CLTC-7

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