时间：2025/8/5 20:29:58
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IXTA32P05T-TRL 是由 IXYS 公司生产的一款高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高功率密度应用设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高电流容量和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等多种电力电子应用。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-50V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-32A
导通电阻（RDS(on)）：约7.5mΩ（典型值，VGS=-10V）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AB
IXTA32P05T-TRL 采用先进的沟槽式结构技术，实现了非常低的导通电阻（RDS(on)），有效降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件的高电流容量（额定漏极电流为 -32A）使其能够承受较大的负载电流，适用于高功率应用场景。此外，其最大漏源电压为 -50V，适合中高压系统使用。
该MOSFET具有良好的热稳定性，最大功耗可达300W，配合良好的散热设计可有效提升器件在高负载下的可靠性。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适应性强，适用于各种恶劣环境条件下的稳定运行。
此外，IXTA32P05T-TRL 的栅极驱动电压范围宽（±20V），增强了设计灵活性，便于与多种驱动电路兼容。该器件还具备良好的短路和过热保护能力，提高了系统安全性和稳定性。
IXTA32P05T-TRL 广泛应用于多种电力电子设备中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、工业控制设备以及电源管理系统等。其高效率和高可靠性使其成为高功率密度电源设计的理想选择。
Si7410DP-T1-GE3, FDPF055N08A, IXTA36P05T-TRL
