时间：2025/8/21 6:07:48
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WFP6131AR是一款由WeEn Semiconductors（威恩半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等高效率功率管理系统中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于需要高效率和紧凑设计的电子设备。WFP6131AR封装为TO-252（DPAK），是一种表面贴装型封装，便于自动化生产和散热设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：60A
导通电阻（RDS(on)）：@VGS=10V时，最大为8.8mΩ；@VGS=4.5V时，最大为13mΩ
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
WFP6131AR具备多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统效率。器件支持高电流能力，能够在高负载条件下稳定工作。此外，WFP6131AR具有快速开关特性，能够实现高频操作，减少开关损耗，适用于高频电源转换器应用。其采用的沟槽式技术提升了芯片的电流密度和热稳定性，增强了器件的长期可靠性。同时，该MOSFET具备优良的热阻性能，封装设计优化了散热路径，有助于在高功率应用中维持较低的结温。WFP6131AR还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在极端工作条件下保持稳定运行。
WFP6131AR适用于多种功率电子系统，包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、电机驱动器、电源管理模块、服务器和通信设备的电源单元等。其低RDS(on)和高电流能力使其特别适合用于高效率、高功率密度的电源设计。在电动车、工业控制、消费类电子产品以及自动化设备中也有广泛应用。
IRF6131PbF, IPD6131AR
