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SI8220DB-A-ISR 发布时间 时间:2025/8/21 17:01:10 查看 阅读:5

SI8220DB-A-ISR 是 Silicon Labs 推出的一款高性能、双通道、隔离式栅极驱动器芯片,广泛用于工业电机控制、电源转换、逆变器以及电动汽车等领域。该芯片基于Silicon Labs的专利数字隔离技术,能够提供高达2.5kV的电气隔离,确保在高电压和高噪声环境下仍能安全可靠地运行。SI8220DB-A-ISR 采用8引脚SOIC封装,具有低功耗、高抗干扰能力和快速响应时间等特点,适用于驱动MOSFET、IGBT等功率开关器件。

参数

类型:隔离式双通道栅极驱动器
  隔离电压:2.5kVrms
  工作电压范围:2.5V - 5.5V
  驱动电流:灌电流/拉电流各为1.3A / 2.0A
  传播延迟:典型值为50ns
  上升/下降时间:典型值为15ns
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装形式:8引脚SOIC
  输入逻辑类型:CMOS/TTL兼容
  安全认证:UL、VDE、CSA等

特性

SI8220DB-A-ISR 的核心优势在于其采用了Silicon Labs独有的数字隔离技术,这使得该器件能够在高电压和高噪声环境下提供卓越的抗干扰能力与稳定性。其双通道设计支持独立控制两个功率器件,适用于半桥、全桥以及同步整流等拓扑结构。该芯片的输入端兼容CMOS/TTL电平,简化了与控制器(如MCU或DSP)之间的接口设计。此外,SI8220DB-A-ISR 具有低功耗特性,在高频开关应用中仍能保持良好的能效表现。该芯片还具备欠压锁定(UVLO)保护功能,当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止功率器件误动作。其封装设计也便于PCB布局和散热管理,适用于紧凑型高功率密度系统设计。
  该器件的另一大亮点是其出色的动态响应能力,快速的传播延迟(典型值50ns)和短上升/下降时间(15ns)使其适用于高频开关应用,有助于减小磁性元件的尺寸并提高系统效率。此外,其高驱动能力(灌电流1.3A,拉电流2.0A)可有效驱动大功率MOSFET和IGBT,降低开关损耗。在工业自动化、电机控制、太阳能逆变器、电动车电源系统等领域,SI8220DB-A-ISR 都能提供稳定可靠的性能保障。

应用

SI8220DB-A-ISR 主要用于需要高可靠性和电气隔离的功率电子系统中。典型应用包括工业电机驱动、变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、光伏逆变器、电动汽车充电系统、电池管理系统(BMS)、DC-DC转换器以及各类高电压功率转换设备。由于其优异的抗干扰能力和快速响应特性,该芯片也非常适合用于高噪声环境下的数字控制系统。此外,在家电、智能电网、医疗设备等对安全要求较高的应用场景中,SI8220DB-A-ISR 同样表现出色。

替代型号

ADuM4223-ADBRWZ, UCC21225A, NCD57001, HCPL-J312, FOD8821

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SI8220DB-A-ISR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 技术容性耦合
  • 通道数1
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)30kV/μs(标准)
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)60ns,40ns
  • 脉宽失真(最大)-
  • 上升/下降时间(典型值)20ns,20ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低1.5A,2.5A
  • 电流 - 峰值输出2.5A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)2.5V(最大)
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)30 mA
  • 电压 -?输出供电14.8V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 认证机构CSA,UR,VDE