时间：2025/5/22 0:51:30
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SI9422DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种电源管理应用。其小型化的封装形式（TSOP6）使其非常适合空间受限的设计场景。
该 MOSFET 的设计旨在提供高效的开关性能，同时保持较低的功耗。由于其出色的电气特性和可靠性，SI9422DY-T1-E3 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电池供电设备等场合。
型号：SI9422DY-T1-E3
类型：N沟道 MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
Ids（连续漏极电流）：28A
Pd（最大功耗）：1.7W
封装形式：TSOP6
Vgs（栅源电压）：±20V
f（工作频率）：1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SI9422DY-T1-E3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，在 Vgs=10V 时仅为 4.5mΩ，从而降低了传导损耗并提高了系统效率。
2. 快速开关能力，支持高达 1MHz 的工作频率，适用于高频应用。
3. 小尺寸 TSOP6 封装，有助于减少 PCB 占位面积。
4. 高电流承载能力，连续漏极电流 Ids 高达 28A。
5. 宽工作温度范围，从 -55℃ 到 +150℃，确保在恶劣环境下的稳定运行。
6. 提供 ESD 保护功能，增强了器件的抗静电能力。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这些特性使得 SI9422DY-T1-E3 成为需要高效、紧凑解决方案的应用的理想选择。
SI9422DY-T1-E3 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. 便携式电子设备中的负载开关。
3. 电机驱动器和控制电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护开关。
5. DC-DC 转换器中的主开关或辅助开关。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与切换。
由于其高效率和紧凑的封装形式，SI9422DY-T1-E3 在各种消费类电子产品、工业设备以及通信基础设施中均表现出色。
SI9423DY-T1-E3
SI9424DY-T1-E3
SI9425DY-T1-E3
