时间：2025/6/30 10:37:05
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GRT155R71C333KE01D是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺，专为高效率、低损耗的应用场景设计。该芯片具有极低的导通电阻和快速开关特性，适用于各种电源管理及电机驱动应用领域。
这款器件支持大电流操作，同时具备出色的热性能，确保在高温环境下也能稳定工作。其封装形式紧凑，便于在空间受限的设计中使用。
型号：GRT155R71C333KE01D
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：700V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：0.33Ω
功耗(Ptot)：38W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263
GRT155R71C333KE01D的主要特性包括：
1. 高耐压能力，支持高达700V的工作电压，适合高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻(0.33Ω)，有效降低导通损耗，提升系统效率。
3. 快速开关速度，优化了动态性能，减少了开关损耗。
4. 出色的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 小巧的封装尺寸，节省电路板空间，方便布局设计。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，满足国际环保要求。
GRT155R71C333KE01D广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动控制中的功率级组件。
4. 逆变器和UPS不间断电源系统。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统的负载开关和保护电路。
GRT155R71C333KE01E, IRF740, STP75NF70
