WFF8N60B 时间：2025/5/10 17:50:12 阅读：2

WFF8N60B 是一款高压功率 N 沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关和高电压应用。该器件采用 TO-220 封装形式，具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等特点，广泛用于电源管理、电机驱动和逆变器等领域。
　　该器件的设计使其在高电压环境下表现出色，并且由于其较低的 Rds(on)，可以有效减少传导损耗，从而提高整体效率。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：8A
　　栅极阈值电压：4V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.4Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　总功耗：140W
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃

特性

WFF8N60B 具有以下主要特性：
　　1. 高击穿电压：高达 600V 的漏源电压使该 MOSFET 能够承受高电压条件，适合于各种工业和汽车应用。
　　2. 低导通电阻：其典型的导通电阻为 1.4Ω（在 Vgs=10V 时），有助于降低功率损耗并提高效率。
　　3. 快速开关能力：由于其优化的栅极电荷设计，该器件具备较短的开关时间，非常适合高频开关应用。
　　4. 热稳定性强：支持的工作温度范围从 -55℃ 到 +150℃，保证了在极端环境下的可靠性。
　　5. 高可靠性：经过严格的质量测试，确保长期稳定运行。
　　6. 小封装尺寸：采用 TO-220 封装，便于安装与散热设计。

应用

WFF8N60B 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
　　2. 电机驱动：如家用电器、工业设备中的电机控制。
　　3. 逆变器：光伏逆变器和其他类型的逆变电路。
　　4. PFC（功率因数校正）电路：用于提高用电设备的功率因数。
　　5. 电磁阀驱动：在自动化系统中用于电磁阀的开关控制。
　　6. 高压负载切换：适用于需要高电压切换的各种场景。