时间：2025/4/30 11:58:09
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SCV431BSN1T1G 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的垂直 DMOS 功率晶体管，采用 TOLL 封装形式。该器件属于高压功率 MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于工业电源、电机驱动以及汽车电子领域。
最大漏源电压：650 V
连续漏极电流：43.1 A
导通电阻：120 mΩ
栅极电荷：90 nC
开关频率：100 kHz
封装类型：TOLL
工作温度范围：-55 ℃ 至 175 ℃
SCV431BSN1T1G 具有出色的电气性能和热性能。
1. 低导通电阻确保在大电流应用中减少功耗和发热。
2. 高开关速度使其适用于高频开关电源和逆变器设计。
3. 内置 ESD 保护功能提高可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
5. 支持高温运行，适应严苛的工作环境。
6. TOLL 封装具备优良的散热性能，同时支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
SCV431BSN1T1G 主要用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
3. 电机驱动和控制模块。
4. 工业设备中的功率变换和调节。
5. 汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、制动系统和照明控制。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
STP45N60DF,
IRFP460,
IXYS IXFN45N60T2
