时间：2025/8/7 3:59:22
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GS8342T18AE-250I 是由GSI Technology公司生产的一款高性能异步静态随机存取存储器（ASRAM）。这款SRAM芯片设计用于需要高速数据访问和高可靠性的应用场合，其异步架构使其适用于多种系统环境。GS8342T18AE-250I 采用先进的CMOS技术制造，提供高速度、低功耗和高稳定性。该芯片封装为165引脚的Thin Small Outline Package (TSOP)，适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），因此适合在各种恶劣环境中使用。
容量：18Mb
组织方式：x18位
访问时间：250MHz
电源电压：2.3V至3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：165-TSOP
访问时间：最大5.4ns
功耗：典型工作电流约120mA
封装尺寸：根据TSOP标准
GS8342T18AE-250I 是一款高性能的异步SRAM，具备低延迟和高速度的特点，适用于需要快速数据访问的应用。该芯片采用异步设计，无需时钟信号即可操作，从而简化了系统设计。此外，它支持宽电压范围（2.3V至3.6V），提高了其在不同系统中的兼容性。芯片的高速访问时间为5.4ns，能够满足高速缓存和实时系统的需求。在功耗方面，GS8342T18AE-250I 的工作电流较低，适用于对功耗有一定限制的设计。此外，其工业级温度范围使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。该芯片还具有高抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中保持稳定的数据存储和读写性能。
GS8342T18AE-250I 主要应用于需要高速数据存取的场合，如网络设备中的缓存存储器、工业控制系统的高速缓冲存储器、测试设备的临时存储器、嵌入式系统的高速数据存储以及航空航天和军事设备中的高可靠性存储器。
CY7C1380D-250BZXC、IDT71V416SA250BG、IS61WV102418BLL-10BLLI、AS7C31026A-10BQNC、CY7C1380E-250BZXC
