时间：2025/5/22 12:53:54
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FQB6N15是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛用于电源管理、电机驱动以及各种工业电子设备中。
最大漏源电压：150V
最大连续漏电流：6A
最大栅极源极电压：±20V
导通电阻：0.18Ω
总功耗：74W
工作温度范围：-55℃至+150℃
FQB6N15具有较低的导通电阻，能够有效减少功率损耗并提高效率。此外，其高开关速度使其非常适合高频应用环境。该器件还具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。
其典型特性包括：
1. 极低的导通电阻以降低功耗。
2. 高击穿电压确保在高压环境下稳定运行。
3. 快速开关时间减少能量损失。
4. 符合RoHS标准，环保且安全。
FQB6N15主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的功率开关。
2. 直流-直流转换器中的高频开关元件。
3. 各类电机驱动电路中的功率控制单元。
4. 电池管理系统中的保护和切换功能。
5. 工业自动化设备中的负载控制模块。
IRF640N
STP6NK60Z
FQP17N15
