R6094是一款由Renesas(瑞萨电子)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具备低导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,适用于高效能、高频率的开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。R6094采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装,具备良好的热管理和空间利用率,适合对尺寸和功耗有严格要求的电子设备。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(Id):4.0A
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):32mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):12nC
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TSOP
R6094具备多项优异的电气和机械特性,确保其在复杂的工作环境中稳定运行。首先,其低导通电阻(Rds(on))有效降低了导通损耗,提高整体系统的能效。其次,该器件采用了先进的沟槽式结构设计,显著优化了开关性能,减少了开关过程中的能量损耗,适用于高频率开关应用。此外,R6094具有良好的热稳定性,TSOP封装具备优异的散热性能,能够在高电流负载下保持较低的温升。该器件还具备较高的耐压能力,最大漏源电压为30V,适用于多种低压功率应用。R6094的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的3.3V、5V及12V驱动电路,便于与各种控制器和驱动IC配合使用。其高可靠性和优异的长期稳定性使其在工业控制、汽车电子、消费类电子产品中具有广泛的应用前景。
R6094常用于各种功率电子系统中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及LED照明驱动电路。在电源管理领域,R6094可用于高效能同步整流器和电压调节模块(VRM),提升电源转换效率。在工业控制和自动化系统中,它可用于驱动继电器、电磁阀和其他高功率负载。此外,R6094还适用于便携式电子设备中的电源开关和负载管理,帮助延长电池寿命。
R6094H, R6094N, Si2302DS, IRF7404, AO4406