PMN50XP是一款高性能的MOSFET功率晶体管,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
PMN50XP属于N沟道增强型MOSFET,支持较高的电流容量和耐压能力,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备领域。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:50A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:45nC
开关时间:ton=12ns, toff=30ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高整体效率。
2. 快速开关性能,适合高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力,增强器件的鲁棒性和可靠性。
4. 小尺寸封装(如TO-220或D2PAK),便于布局和散热设计。
5. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子产品中。
6. 支持高电流操作,满足大功率应用场景需求。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护和控制电路。
6. 通信电源模块中的同步整流功能。
IRF540N
STP55NF06
FDP55N06L