时间：2025/7/10 23:37:31
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WESD15V0B2S2 是一款采用硅雪崩技术的双向瞬态电压抑制二极管（TVS），专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、感应雷击和其它瞬态电压危害而设计。该器件具有低电容、快速响应时间和高浪涌能力等特性，广泛应用于高速数据线和信号线的保护场景。
该型号是双向 TVS 二极管，能够在正负两个方向上提供对称的过压保护，适合于双向信号的应用环境。
额定电压：15V
峰值脉冲电流：43A
最大反向工作电压：15.6V
击穿电压：16.8V
箝位电压：27.9V
结电容：7.8pF
响应时间：1ps
漏电流：1μA（最大值，在VRWM下）
封装类型：SOT-23-2
1. 双向对称保护，适用于正负双向信号线路。
2. 极低的结电容（7.8pF），适合高速信号线路。
3. 快速响应时间（1ps），能够迅速抑制瞬态电压。
4. 高浪涌能力（43A 峰值脉冲电流），确保在恶劣环境下也能可靠工作。
5. 工作温度范围广（-55℃ 至 +150℃），适应多种应用环境。
6. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
7. 无铅封装，符合 RoHS 和环保要求。
WESD15V0B2S2 广泛用于高速数据接口和通信线路的保护，包括但不限于以下领域：
1. USB 2.0/3.0 端口保护。
2. HDMI 接口保护。
3. 以太网端口保护。
4. 汽车电子系统中的 CAN 总线保护。
5. 移动设备中的射频信号线保护。
6. 工业控制系统的信号传输保护。
7. 无线通信模块的天线端口保护。
PESD15VL4BS
SMCJ15CA
STM815M2BTTR
