时间：2025/9/20 1:46:35
阅读：12
LV23004T-B-TLM-E是一款由Lemi Semiconductor（铼微半导体）推出的高集成度、高效同步降压型DC-DC转换器芯片，专为便携式设备、消费类电子产品及中低功率工业应用设计。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具备宽输入电压范围，能够将较高的直流电压稳定地转换为可调节或固定输出的低压直流电源，适用于电池供电系统、物联网终端、智能家居模块以及嵌入式控制系统等场景。LV23004T-B-TLM-E集成了主开关管与同步整流管，显著提升了转换效率并减少了外部元件数量，有助于缩小整体电路尺寸。其封装形式为小型化SOT563或DFN1.8x2-6L，适合对空间要求严格的高密度PCB布局。芯片内置多重保护机制，包括过流保护（OCP）、过温保护（OTP）和输出短路保护，确保系统在异常工况下的安全运行。此外，该器件支持轻载条件下的PFM（脉冲频率调制）模式，有效降低静态功耗，延长电池使用寿命。由于其高效率、小体积和良好的动态响应特性，LV23004T-B-TLM-E在替代传统LDO和非同步Buck电路方面展现出明显优势。
型号：LV23004T-B-TLM-E
类型：同步整流降压DC-DC转换器
输入电压范围：2.7V ~ 5.5V
输出电压范围：0.8V ~ 3.6V（可调）
最大输出电流：600mA
开关频率：1.8MHz
工作模式：PWM/PFM自动切换
静态电流：35μA（典型值）
占空比范围：0% ~ 100%
反馈参考电压：0.6V ±2%
效率：高达95%（典型条件下）
封装形式：SOT563 / DFN1.8x2-6L
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
关断电流：<1μA
LV23004T-B-TLM-E具备优异的动态响应能力，能够在负载电流快速变化时维持稳定的输出电压。这得益于其内部采用的电流模式控制架构，该架构不仅提高了环路稳定性，还增强了对输入电压波动和负载突变的适应性。在轻载或待机状态下，芯片自动进入PFM模式，仅以最低必要频率进行开关操作，从而大幅降低开关损耗和驱动损耗，实现超低静态功耗。这一特性特别适用于需要长时间待机的电池供电设备，如无线传感器节点、智能手环和电子标签等。同时，该芯片支持100%占空比导通，在输入电压接近输出电压时仍能保持输出稳定，延长了电池的有效使用时间。
集成度方面，LV23004T-B-TLM-E内置上管P-MOSFET与下管N-MOSFET作为同步整流结构，无需外接肖特基二极管，既节省了成本又减小了PCB面积。此外，芯片内部集成了软启动电路，可防止启动瞬间产生过大的浪涌电流，避免对输入电源造成冲击。其高达1.8MHz的开关频率使得外部电感和电容可以选用更小尺寸的元件，进一步优化整体方案体积。保护功能全面，包含逐周期过流保护、热关断保护以及输出短路自动恢复机制，保障系统长期可靠运行。
该芯片采用高精度基准电压源（0.6V），配合外部电阻分压网络可精确设定输出电压，调节精度可达±2%，满足大多数精密供电需求。整个控制电路经过优化设计，具有良好的抗噪声能力和EMI性能，适用于对电磁兼容性要求较高的应用场景。此外，芯片在设计时充分考虑了散热问题，通过优化封装热阻路径，即使在高负载条件下也能保持较低的工作温度。总体而言，LV23004T-B-TLM-E是一款兼顾高性能、高效率与高可靠性的同步降压转换器，适用于多种低功耗、小尺寸电源系统的设计需求。
LV23004T-B-TLM-E广泛应用于各类便携式电子设备中，例如蓝牙耳机、智能手表、健康监测设备、TWS耳机充电仓、电子书阅读器以及小型IoT无线模块（如Wi-Fi、Zigbee、LoRa模组）。在这些应用中，通常需要从单节锂电池（3.7V）或USB电源（5V）降压至核心处理器、传感器或射频芯片所需的工作电压（如1.8V、3.3V），而该芯片的高效率和小封装特性恰好满足此类需求。此外，它也被用于智能家居产品中的MCU供电单元，如智能门锁、温控器和照明控制面板，提供稳定可靠的低压电源。在工业领域，可用于PLC扩展模块、传感器信号调理电路的局部供电，以及低功耗数据采集系统的电源管理部分。由于其具备良好的瞬态响应和低噪声特性，也可用于为ADC、DAC或运放等模拟电路提供干净的偏置电压。在可穿戴设备中，得益于其超低静态电流和高集成度，能够显著提升续航能力并简化电源设计流程。对于需要多路电源轨但空间受限的产品，LV23004T-B-TLM-E常作为次级LDO之前的预稳压器使用，提高整体电源效率。总之，凡是需要高效、紧凑、低功耗DC-DC解决方案的应用场景，都是该芯片的理想选择。
AP2112K-3.3TRG1
XC6206P33MR-G
ME6211C33M5G-N
