时间：2025/5/12 21:56:42
阅读：18
WCL029N06DN 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率场效应晶体管 (MOSFET)，专为高频、高效能开关应用设计。该器件采用了先进的封装技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动和其他高频功率转换场景。
这款 GaN MOSFET 具有出色的热性能和耐用性，能够承受较高的电压和电流负载，并在高温环境下保持稳定运行。此外，它还具备快速恢复二极管特性，从而减少了开关损耗并提高了整体效率。
型号：WCL029N06DN
类型：增强型 E 模式 GaN HEMT
漏源击穿电压：650V
导通电阻（典型值）：29mΩ
最大漏极电流：14A
栅极驱动电压（开启/关闭）：6V/-4V
结电容（Coss）：18pF
总栅极电荷：30nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 基于氮化镓 (GaN) 材料制造，具备更高的功率密度和效率。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗。
3. 高开关频率支持，适合高频应用场景。
4. 内置快速恢复二极管，降低开关过程中的反向恢复损耗。
5. 小尺寸封装设计，节省电路板空间。
6. 宽工作温度范围，适用于严苛环境下的应用。
7. 出色的热管理能力，确保长时间稳定运行。
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 逆变器及电机驱动
4. 充电器及适配器
5. 工业电源系统
6. 可再生能源发电设备
7. 高效电力电子模块
WCL033N06DG, WCL025N06DM, WCL029N06DP
