您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DMP31D1UDW

DMP31D1UDW 发布时间 时间:2025/5/13 14:02:10 查看 阅读:21

DMP31D1UDW是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换和负载开关应用。其封装形式为SOT-26,能够有效节省电路板空间并提高散热性能。
  这种MOSFET的主要特点是其优化的动态性能和较低的栅极电荷,这使得它在高频开关应用中表现出色。此外,DMP31D1UDW还具备出色的热稳定性和可靠性,能够在严苛的工作条件下长期运行。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻(典型值):0.075Ω
  栅极电荷:4nC
  开关频率:高达5MHz
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频DC-DC转换器和负载开关应用。
  3. 小型SOT-26封装,便于PCB布局设计,同时提供良好的散热性能。
  4. 内部防静电保护设计,增强了器件的鲁棒性。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。

应用

1. 手机和平板电脑中的电源管理模块。
  2. 便携式电子设备的负载开关。
  3. DC-DC转换器和开关电源中的功率级开关。
  4. LED驱动器和背光控制。
  5. 各类消费类电子产品中的信号切换和保护电路。

替代型号

DMG31D1UDW, DMP3009UFG, BSS138

DMP31D1UDW推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价