类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：25V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110~800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SC-59（SOT-416）

HG62S250J01F 具有优异的高频性能，过渡频率（fT）高达 250MHz，使其适用于射频和中频放大电路。该晶体管的电流增益（hFE）范围宽广，根据不同的等级划分，hFE 可以从 110 到 800 不等，适应多种电路设计需求。
　　此外，HG62S250J01F 采用 SC-59 封装，尺寸小巧，便于在紧凑的 PCB 布局中使用。其最大集电极-发射极电压为 25V，最大集电极电流为 100mA，适合中低功率放大和开关应用。
　　该器件的功耗为 200mW，能够在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内稳定工作，适用于工业级和消费类电子产品的设计。其高频响应和低噪声特性使其成为无线通信、音频放大器和传感器接口电路的理想选择。

HG62S250J01F 主要用于射频（RF）放大器、中频放大器、音频前置放大器、开关电路以及各类便携式电子设备。在无线通信模块中，该晶体管可用于低噪声放大（LNA）和信号调制/解调电路。在消费电子产品中，它常用于耳机放大器、麦克风前置放大器和 LED 驱动电路。
　　此外，该晶体管还可用于各种传感器接口电路，如温度传感器、光敏传感器和加速度传感器的信号调理电路。由于其高频性能，HG62S250J01F 也常用于 FM 接收器、蓝牙模块和 Wi-Fi 模块中的信号放大环节。

2N3904, BC847, PN2222A