MA0402CG1R8B100 是一款基于砷化镓(GaAs)工艺制造的射频放大器芯片,主要用于无线通信、雷达和卫星通信等高频应用领域。该芯片具有高增益、低噪声和宽频带的特点,能够在高频段实现优异的信号放大性能。其封装形式为陶瓷气密封装,能够提供良好的可靠性和环境适应性。
型号:MA0402CG1R8B100
工作频率范围:2 GHz 至 18 GHz
增益:15 dB 典型值
输出功率(1 dB 压缩点):+10 dBm
饱和输出功率:+13 dBm
噪声系数:4.5 dB 典型值
电源电压:+5 V
静态电流:70 mA 典型值
封装形式:陶瓷气密封装
工作温度范围:-55℃ 至 +105℃
MA0402CG1R8B100 的设计使其非常适合需要在宽带范围内实现高效放大的应用。其主要特性包括:
1. 高增益:在整个工作频率范围内,该芯片可提供稳定的 15 dB 增益,确保信号传输的有效性。
2. 宽频带:覆盖从 2 GHz 到 18 GHz 的频率范围,适用于多种射频和微波应用场景。
3. 低噪声:噪声系数仅为 4.5 dB,有助于提高系统的整体信噪比。
4. 稳定性:采用陶瓷气密封装技术,能够在极端环境下保持高性能表现。
5. 低功耗:典型工作电流仅为 70 mA,降低了系统的整体功耗需求。
6. 可靠性高:适合军工级或工业级应用,能够在 -55℃ 至 +105℃ 的温度范围内稳定运行。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 无线通信系统:如 5G 基站、毫米波回传链路等。
2. 雷达系统:包括气象雷达、军事雷达和汽车雷达等。
3. 卫星通信:用于地面站接收机和发射机中的信号放大。
4. 测试与测量设备:如频谱分析仪、网络分析仪等。
5. 工业与科研设备:如高精度信号发生器和放大器模块。
MA0402CG1R8A100, MA0402CG2R0B100