容量：128 KB
　　组织结构：128K x 16 位
　　电压：5V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：32
　　访问时间：6 ns
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　接口类型：并行接口
　　存储器类型：EDO DRAM

W9812G2JH-6 是一种 EDO DRAM，相较于传统的 FPM DRAM，具有更高的数据传输速率和更低的访问延迟。由于 EDO 技术允许在地址改变时保持数据输出有效，因此可以提高整体系统的性能。
　　该芯片的工作电压为标准的 5V，这使得它能够与多种老式和工业设备兼容。其 32 引脚 TSOP 封装形式不仅节省空间，还具备较好的热性能和电气性能，适合在紧凑型设计中使用。
　　此外，W9812G2JH-6 的访问时间为 6 纳秒，这意味着它可以在较快的系统时钟下运行，适用于对响应时间有一定要求的应用场景。芯片的工作温度范围为 0°C 至 70°C，适合在标准工业环境中使用，无需特别的冷却或加热措施。
　　作为一款并行接口的 DRAM，W9812G2JH-6 可以直接连接到微处理器或其他控制器上，简化了硬件设计并降低了系统复杂性。由于其成熟的技术和稳定的性能，W9812G2JH-6 仍然被许多需要长期稳定供应的工业设备和控制系统所采用。

W9812G2JH-6 常用于需要中等容量高速存储器的嵌入式系统、工业控制设备、老式个人计算机和外围设备。由于其 EDO 技术带来的性能优势，该芯片也适用于需要快速数据访问的实时控制系统和数据采集设备。此外，W9812G2JH-6 还可以作为缓存或临时存储器在通信设备、测试仪器和自动化设备中发挥作用。

W982502AH-6, HY628100ALI-70, CY7C1009DV33-10ZSXC