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W979H2KBQX2E 发布时间 时间:2025/8/21 3:00:08 查看 阅读:2

W979H2KBQX2E 是由 Winbond(华邦电子)推出的一款高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)系列,广泛应用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统以及需要高带宽和低功耗的场景。

参数

容量:2GB
  数据速率:3200Mbps
  电压:1.1V
  封装类型:BGA
  数据总线宽度:16位
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:10mm x 12mm

特性

W979H2KBQX2E 具备出色的性能和能效,适用于现代便携式电子产品对内存的高要求。该芯片采用LPDDR4技术,显著降低了功耗,从而延长了设备的电池寿命。
  其3200Mbps的数据速率支持高速数据传输,适用于高清视频处理、图形渲染和复杂计算任务。此外,1.1V的核心电压设计进一步优化了功耗,同时保持了稳定的性能表现。
  该芯片采用紧凑的BGA封装形式,尺寸为10mm x 12mm,适合空间受限的设计。其16位的数据总线宽度在带宽和成本之间取得了良好的平衡,适合中高端移动设备和嵌入式平台。
  支持自动刷新和自刷新功能,有助于降低系统功耗并提高数据保持能力。此外,W979H2KBQX2E 还具备温度补偿自刷新(TCSR)功能,能够在高温环境下优化数据保持时间,提高系统稳定性。

应用

W979H2KBQX2E 主要用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、工业控制系统以及车载信息娱乐系统等需要高性能和低功耗内存的场景。由于其良好的带宽表现和节能特性,它也适用于物联网设备、智能穿戴设备和边缘计算平台等新兴应用领域。

替代型号

W979H2KBQX6E

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W979H2KBQX2E参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织16M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度-25°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳168-WFBGA
  • 供应商器件封装168-WFBGA(12x12)