类型：双向TVS二极管
　　封装：SOD323
　　反向截止电压（VRWM）：11V
　　击穿电压（VBR）：12.2V @ 1mA
　　最大钳位电压（VC）：18.2V @ 1A
　　峰值脉冲电流（IPP）：5A
　　峰值脉冲功率（PPPM）：70W
　　电容值（Cj）：30pF @ 0V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　极性：双向

PZM11NB1的双向保护特性使其能够有效应对正负两个方向的瞬态电压冲击，这一特点特别适用于那些信号极性可能变化或存在交流成分的电路环境中。例如，在音频线路、传感器接口或某些通信总线中，电压可能会出现正负波动，传统的单向TVS二极管在这种情况下无法提供完整的保护，而PZM11NB1则可以无缝地处理这两种情况。这种双向导通机制基于内部背对背的二极管结构，当任一方向的电压超过击穿阈值时，器件会迅速导通并将多余能量泄放到地，从而维持线路电压在安全范围内。该特性不仅提升了系统的鲁棒性，还减少了设计复杂度，无需额外考虑极性匹配问题。
　　另一个关键特性是其低结电容（典型值为30pF），这对于高速信号线路的保护至关重要。在现代电子系统中，许多接口如USB、I2C、SPI、GPIO等都运行在较高频率下，若使用高电容的保护器件，会导致信号失真、上升/下降时间延长甚至通信失败。PZM11NB1的低电容设计确保了其对高频信号的影响降到最低，不会显著改变信号完整性，因而非常适合用于便携式设备中的高速数据线保护。此外，该器件的小型SOD323封装（约1.7mm x 1.25mm）极大节省了PCB布局空间，适应当前电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。
　　该TVS二极管具备出色的瞬态吸收能力，可在短时间内承受高达70W的峰值脉冲功率（按照IEC 61000-4-2标准测试）。其快速响应时间（通常小于1ns）意味着在静电放电事件发生时，器件能在极短时间内进入雪崩导通状态，限制电压上升幅度，保护后级IC免受高压损伤。同时，其最大钳位电压仅为18.2V（在1A电流下），远低于大多数CMOS器件的绝对最大额定电压，提供了充足的安全裕度。结合其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），PZM11NB1能够在恶劣环境条件下稳定工作，适用于工业级和汽车级应用。

PZM11NB1广泛应用于各类需要瞬态过压保护的电子系统中，尤其适合用于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和移动电源等。在这些设备中，各种外部接口（如耳机插孔、充电端口、数据传输接口）极易受到用户操作过程中产生的静电放电（ESD）影响，PZM11NB1可并联连接在这些信号线上，实时监测电压异常并在瞬间导通泄放电流，保护主控芯片和模拟前端电路。此外，它也常用于保护微控制器的GPIO引脚、按键输入电路以及传感器信号线，防止因人为接触或环境干扰引发的电压尖峰导致系统复位或永久性损坏。
　　在通信领域，PZM11NB1可用于保护RS-232、CAN、LIN等低速串行通信接口，尤其是在工业现场或车载环境中，这些线路容易受到电磁干扰和感应雷击的影响。通过将该TVS二极管布置在通信线路与地之间，可以有效抑制共模和差模瞬态干扰，提高通信的可靠性和稳定性。另外，在电源管理模块中，对于12V左右的直流供电线路，PZM11NB1也可作为辅助过压保护器件，配合保险丝或自恢复PTC使用，构成完整的初级保护方案。其双向特性也使其适用于交流耦合信号路径或差分信号线的共模保护，进一步扩展了其应用场景。由于其符合AEC-Q101车规级认证的部分要求，并具有良好的温度适应性，该器件也被逐步引入到汽车电子系统中，如车身控制模块、车内照明控制系统和车载信息娱乐系统的接口保护中。

PESD12VS2UT, SMAJ12CA, PZU12B1