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W9751G6NB-25 TR 发布时间 时间:2025/8/20 16:05:09 查看 阅读:14

W9751G6NB-25 TR 是由Winbond公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片具有高性能和低功耗特性,适用于多种电子设备。W9751G6NB-25 TR是一款容量为256MB、组织结构为16M x 16位的DRAM,采用CMOS工艺制造,具备广泛的应用领域。

参数

容量:256MB
  组织结构:16M x 16位
  封装类型:TSOP
  接口类型:Parallel
  电压范围:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  最大访问时间:5.4ns
  封装尺寸:54-TSOP

特性

W9751G6NB-25 TR具有高性能的访问速度,最大访问时间仅为5.4ns,使其适用于对速度要求较高的应用。该芯片采用低功耗CMOS工艺,能够在不同的工作条件下保持较低的功耗,适用于对能耗敏感的设备。此外,其工作温度范围较宽,可在-40°C至+85°C之间稳定运行,适合在恶劣环境中使用。该芯片还具备较高的可靠性和稳定性,适用于长时间运行的工业级设备。
  W9751G6NB-25 TR采用了TSOP封装技术,使其在安装和使用过程中更加便捷,同时具备较好的散热性能。这款DRAM芯片广泛用于嵌入式系统、网络设备、通信设备、工业控制设备以及其他需要高性能存储的场合。

应用

W9751G6NB-25 TR广泛应用于多种电子设备中,包括嵌入式系统、网络路由器和交换机、工业控制设备、通信设备、消费类电子产品等。其高性能和低功耗特性使其成为工业级设备和高性能计算设备的理想选择。

替代型号

W9751G6KB-25 TR, W9751G6FB-25 TR

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W9751G6NB-25 TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥16.30888卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织32M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间400 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度0°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-VFBGA
  • 供应商器件封装84-VFBGA(8x12.5)