RF3158TR13 是一款由 RF Micro Devices(现为 Qorvo)生产的射频(RF)功率晶体管,主要用于高功率射频放大器应用。该器件基于 GaN(氮化镓)技术,具有高效率、高输出功率和优异的热性能。RF3158TR13 被广泛应用于通信基础设施、工业设备、国防和广播系统等需要高功率射频放大的领域。
类型:射频功率晶体管
技术:GaN(氮化镓)
频率范围:2.3 GHz - 2.7 GHz
输出功率:800 W(典型值)
增益:>18 dB
效率:>65%
漏极电压:50 V
输入阻抗:50Ω
封装类型:螺栓式封装
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
RF3158TR13 采用先进的 GaN 技术,具有出色的功率密度和能效表现,使其在高功率射频应用中成为理想选择。其高频操作能力支持 2.3 GHz 至 2.7 GHz 的宽频段,适用于多种无线通信标准。
该器件的高输出功率(高达 800 W)和高增益(超过 18 dB)特性,使其能够在最小的电路复杂度下实现高效的射频信号放大。
其高效率(超过 65%)有助于减少散热需求,从而提高系统可靠性并降低整体功耗。
此外,RF3158TR13 的漏极电压为 50 V,能够在较高的电压条件下稳定工作,同时具备良好的热管理和宽工作温度范围(-40°C 至 +150°C),适用于各种严苛环境。
该晶体管采用螺栓式封装,便于安装和散热管理,适用于基站、广播系统、雷达和测试设备等应用。
作为一款高可靠性器件,RF3158TR13 在设计上兼顾了性能和稳定性,能够满足现代通信系统对高线性度和高可靠性的严格要求。
RF3158TR13 主要用于需要高功率放大的射频系统中,如蜂窝通信基站(4G/5G)、广播发射机、雷达系统、测试和测量设备以及工业加热设备等。其高功率和高效率特性使其成为基站功率放大器模块(PAM)的理想选择。
在 5G 基础设施中,该器件支持更高频段的传输需求,有助于提高网络容量和覆盖范围。
此外,RF3158TR13 也适用于宽带无线接入系统和点对点微波通信系统,提供稳定可靠的射频功率放大解决方案。
其优异的线性度和热稳定性也使其在军用通信和电子战系统中得到广泛应用。
CGH40085, LDMOS 晶体管如 MRF6S27045CLS 或 GaN 晶体管如 NPT2050SC1K25