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SKR135F08 发布时间 时间:2025/8/23 17:01:49 查看 阅读:7

SKR135F08 是一款由韩国企业生产的大功率场效应晶体管(MOSFET),常用于高电流、高电压的功率转换和开关应用。该器件基于N沟道增强型MOSFET技术,具备良好的导通性能和快速的开关特性。SKR135F08的封装形式通常为TO-220或类似的大功率封装,能够承受较大的工作电流和功率损耗,适用于工业电源、电机驱动、DC-DC转换器、电池管理系统等应用场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):135A
  最大漏源电压(VDS):80V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):约2.5mΩ(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220 或 I2PAK
  功率耗散(PD):170W

特性

SKR135F08 MOSFET具有优异的导通性能,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。
  该器件能够承受高达135A的连续漏极电流和80V的漏源电压,适用于高功率密度设计。
  其高栅源电压容限(±20V)增强了在复杂驱动环境下的可靠性。
  采用大功率封装(如TO-220或I2PAK),有助于有效散热,确保在高负载条件下的稳定运行。
  该MOSFET具备快速开关能力,适用于高频开关电源和电机控制应用。
  此外,其宽工作温度范围(-55°C至+175°C)使其适用于各种严苛环境条件下的工业和汽车电子系统。

应用

SKR135F08广泛应用于各类功率电子系统中,包括但不限于大功率开关电源(SMPS)、电动工具、电动汽车电驱系统、工业电机驱动器、电池管理系统(BMS)、逆变器、DC-DC转换器、LED驱动电源以及各类高电流负载的开关控制电路。
  由于其高电流承载能力和低导通电阻,该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的应用场合。
  在汽车电子领域,SKR135F08可用于车载充电系统、电机控制器和能量管理系统。
  在工业自动化和机器人控制系统中,该MOSFET可用于驱动大功率执行机构和伺服电机。
  此外,它也可作为高功率LED照明系统的开关元件使用。

替代型号

IRF1405, STP150N8F7AG, FDP135N08A

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