MAZW068HGL 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高效率和快速开关速度的特点,适用于需要高效能功率转换的场景。
型号:MAZW068HGL
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源极电压):60V
RDS(on)(导通电阻):8mΩ
IDS(连续漏极电流):72A
栅极电荷:39nC
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
MAZW068HGL 的主要特点是其低导通电阻(仅 8mΩ),这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
其次,该器件支持高达 72A 的连续漏极电流,非常适合高电流应用。
此外,它具有快速开关性能,可以有效降低开关损耗,并且能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温度范围内稳定运行。
由于采用了 TO-247 封装,这种器件还提供了良好的散热性能,进一步增强了其在高功率环境中的可靠性。
MAZW068HGL 主要用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 工业设备中的电机驱动控制。
3. 高效负载切换和保护电路。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关应用。
5. 汽车电子系统的功率管理模块。
IRFP260N
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FDP177N06AE
IXYS IXFN76N06T2