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MAZW068HGL 发布时间 时间:2025/5/7 19:20:12 查看 阅读:7

MAZW068HGL 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高效率和快速开关速度的特点,适用于需要高效能功率转换的场景。

参数

型号:MAZW068HGL
  类型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源极电压):60V
  RDS(on)(导通电阻):8mΩ
  IDS(连续漏极电流):72A
  栅极电荷:39nC
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247

特性

MAZW068HGL 的主要特点是其低导通电阻(仅 8mΩ),这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
  其次,该器件支持高达 72A 的连续漏极电流,非常适合高电流应用。
  此外,它具有快速开关性能,可以有效降低开关损耗,并且能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温度范围内稳定运行。
  由于采用了 TO-247 封装,这种器件还提供了良好的散热性能,进一步增强了其在高功率环境中的可靠性。

应用

MAZW068HGL 主要用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 工业设备中的电机驱动控制。
  3. 高效负载切换和保护电路。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关应用。
  5. 汽车电子系统的功率管理模块。

替代型号

IRFP260N
  STP75NF06L
  FDP177N06AE
  IXYS IXFN76N06T2

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MAZW068HGL参数

  • 数据列表MAZW068HGL View all Specifications
  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管/齐纳阵列
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)6.8V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 4V
  • 配置1 对共阳极
  • 功率 - 最大150mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)30 欧姆
  • 容差-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-723
  • 供应商设备封装SSS迷你型3-F2
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-
  • 其它名称MAZW068HGLTR