类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：330V
　　漏极-栅极电压（VDG）：330V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25℃：90A
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 0.042Ω
　　栅极电荷（Qg）：约 260nC
　　输入电容（Ciss）：约 4300pF

IXTQ90N33 采用先进的沟道技术，提供了非常低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了效率。
　　其高耐压特性（330V）使其适用于多种高电压应用，如电机驱动、工业电源和不间断电源（UPS）系统。
　　该 MOSFET 还具有高电流处理能力，在 25℃时可承受高达 90A 的连续漏极电流，适合用于大功率负载的控制。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性，并采用 TO-247 封装，便于安装散热片，以应对高功耗环境。
　　它的栅极驱动电压范围宽，支持常见的 10V 至 15V 驱动电压，兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。
　　内部结构设计优化，具有较强的抗雪崩能力，增强了器件在瞬态过电压条件下的可靠性。

IXTQ90N33 广泛应用于各类高功率电子系统中，包括但不限于：工业电机控制、高频开关电源（SMPS）、逆变器、不间断电源（UPS）、电焊设备、电磁加热系统、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等。
　　在这些应用中，它能够高效地进行功率开关操作，提供稳定的性能并减少能量损耗。
　　由于其高可靠性和优异的导通特性，它也常被用于需要高效率和高稳定性的工业自动化和电力电子系统中。

IXFK90N33T, IRFP460LC, FDPF90N33S, STP90NF33