类型：SiC MOSFET
　　额定电压(Vds)：1200V
　　额定电流(Id)：43A
　　导通电阻(Rds(on))：10mΩ
　　栅极电荷(Qg)：58nC
　　短路耐受能力：600A（@10ms）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247-4

CRSM043N10N4作为一款高性能SiC MOSFET，具有诸多优势。首先，其采用的碳化硅材料具备宽禁带特性，使得器件能够在更高温度下稳定运行，同时降低导通损耗和开关损耗。相比传统硅基MOSFET，CRSM043N10N4在相同功率等级下能提供更高的效率和更小的体积，有助于提高系统的功率密度。
　　其次，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优化的封装设计，减少了功率损耗和热阻，从而提升了整体系统的可靠性和寿命。其TO-247-4封装设计支持快速开关操作，并降低了封装内部的寄生电感，有助于在高频应用中实现更高的性能。
　　此外，CRSM043N10N4还具备良好的短路耐受能力，能够在极端条件下保持稳定运行，适用于高可靠性的工业和汽车应用。其栅极氧化层设计经过优化，增强了栅极控制的稳定性和抗干扰能力，确保器件在复杂电磁环境中依然能够正常工作。

该器件广泛应用于需要高效率和高功率密度的系统中，例如电动汽车车载充电系统（OBC）、DC-DC转换器、电机驱动器、光伏逆变器、储能变流器以及工业电源等。在电动汽车领域，CRSM043N10N4可用于提升充电效率和能量回收系统的性能；在可再生能源系统中，它有助于提高逆变器效率并减小系统尺寸；在工业应用中，该MOSFET支持高频率开关操作，有助于降低系统损耗并提升整体能效。

C3M0350K120D, SCT3040KL, CRSM043N10NA