时间：2025/8/21 9:05:00
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W634GU6NB-11是一款由Winbond公司生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于需要高性能存储解决方案的电子设备。该芯片属于其特定的DRAM产品系列，提供较大的存储容量和较快的数据访问速度，适用于需要频繁读写操作的应用场景。W634GU6NB-11采用标准的封装形式，确保了其在各类电子系统中的兼容性和可靠性。
存储容量：256Mbit
组织结构：16M x 16
电源电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数量：54
最大访问时间：10ns
刷新周期：64ms
最大工作频率：166MHz
W634GU6NB-11是一款高性能DRAM芯片，具备较大的存储容量和快速的数据访问能力，适合需要高效数据处理的应用场景。该芯片支持高速时钟频率，能够满足高速数据传输的需求。其低功耗设计在保证性能的同时，也提升了能效，适用于对能耗有要求的设备。W634GU6NB-11的工作温度范围较宽，能够在-40°C至+85°C的环境下稳定工作，适用于工业级应用。该芯片还支持多种工作模式，包括自刷新和待机模式，以适应不同的系统需求。此外，其TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了热稳定性和电气性能，适用于多种嵌入式系统和通信设备。
W634GU6NB-11广泛应用于需要大容量高速存储的电子设备，如网络设备、工业控制设备、嵌入式系统以及消费类电子产品。由于其高性能和低功耗的特性，该芯片也常用于通信模块、视频处理设备以及图像采集系统等对数据处理速度有较高要求的场景。
W634GU6NB-11可替代型号包括ISSI的IS42S16160B以及Micron的MT48LC16M16A2B4-6A。
