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W632GG8MB-12 TR 发布时间 时间:2025/8/20 14:33:00 查看 阅读:15

W632GG8MB-12 TR 是由 Winbond 公司生产的一款 NOR 闪存芯片,广泛用于需要快速随机访问和高可靠性的应用场景。该芯片具有 256 Mbit 的存储容量,采用 8 位数据接口,支持多种标准和快速的串行外设接口(SPI)。其工作温度范围通常为工业级 -40°C 至 +85°C,适合工业控制、汽车电子、通信设备等严苛环境下的应用。

参数

容量:256 Mbit
  接口类型:SPI
  电压范围:2.3V - 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  数据总线宽度:8 位
  读取速度:最大 120MHz
  编程/擦除电压:3V

特性

W632GG8MB-12 TR 采用先进的闪存技术,具备出色的性能和稳定性。其 SPI 接口支持多种模式(Mode 0 和 Mode 3),确保与各种主控设备的兼容性。该芯片支持页编程和块/扇区擦除功能,允许用户对特定区域进行精确的写入和擦除操作,从而提高存储效率。此外,它还集成了硬件写保护功能,防止意外的数据修改或擦除。芯片内部包含多个保护机制,包括软件和硬件写保护、编程和擦除操作的自动定时控制,以及错误检测和纠正功能,确保数据的完整性和可靠性。
  该芯片的读取速度高达 120MHz,适合需要高速数据访问的应用场景。其低功耗设计使其在待机模式下电流消耗极低,非常适合对功耗敏感的便携式设备。W632GG8MB-12 TR 的封装形式为 TSOP,尺寸小巧,适合空间受限的设计。其宽电压工作范围(2.3V 至 3.6V)也增强了其在不同系统中的适应能力。

应用

该芯片广泛应用于工业控制设备、汽车电子系统、嵌入式系统、通信模块、物联网设备、消费类电子产品(如智能家电、穿戴设备)以及网络设备等。在这些应用中,W632GG8MB-12 TR 可用于存储固件、引导代码、配置数据以及需要频繁更新的小型数据存储。由于其高可靠性和宽温特性,它特别适合用于需要长期稳定运行的工业和汽车环境。

替代型号

W25Q256JV-IM, S25FL256SAGNFI011, MX25U25635FZNI

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W632GG8MB-12 TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-VFBGA
  • 供应商器件封装78-VFBGA(10.5x8)