时间：2025/7/2 9:53:06
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9FGP204BKLFT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用N沟道增强型结构。该器件主要用于开关和放大应用中，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流处理能力。其封装形式为TO-263，适合表面贴装工艺。这种晶体管广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换等领域。
最大漏源电压：55V
最大漏极电流：14A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：37nC
开关时间：典型值ton=27ns，toff=19ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
9FGP204BKLFT具备优秀的电气性能，包括低导通电阻，从而降低功耗并提高效率；同时具有较快的开关速度，适合高频应用环境。此外，该器件的热性能优异，在高功率密度应用场景下能够保持稳定运行。其封装设计优化了散热路径，进一步提升了可靠性。
该晶体管还拥有较强的雪崩能力和抗静电能力（ESD），增强了在恶劣环境下的鲁棒性。其符合RoHS标准，绿色环保。
该MOSFET适用于多种电力电子场景，例如直流-直流转换器、电池管理系统、LED驱动电路、电信设备中的电源模块、工业自动化控制以及消费类电子产品中的负载切换功能。凭借其出色的效率和可靠性，9FGP204BKLFT成为众多工程师在设计高效能产品时的理想选择。
