NP90N04PUF 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。该器件采用了先进的制程工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
其封装形式为 PDFN5x6-8L,能够有效降低寄生电感和寄生电容的影响,从而提升整体系统的效率和性能。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:21A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:30nC
输入电容:1720pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
NP90N04PUF 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流应用中减少功率损耗,提高系统效率。
2. 快速的开关速度,得益于其较小的栅极电荷,适用于高频应用场景。
3. 高度优化的热性能,即使在极端条件下也能保持稳定的运行。
4. 小型化封装设计,有助于节省 PCB 空间,适合紧凑型设计需求。
5. 较宽的工作温度范围,适应多种恶劣环境下的使用要求。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 电池保护和负载切换应用。
4. LED 驱动器和光伏逆变器等需要高效功率转换的应用场景。
IPB040N04L,
NTMFS4C704,
STP20NM40,
IRLML6402