W632GG8KB-11 TR 是一款由Winbond公司生产的高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于W632系列,容量为256MB,采用x16位的总线宽度,适用于需要高速数据存取的应用场景。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装,适合在空间有限的嵌入式系统中使用。
容量:256MB
组织结构:x16
工作电压:2.3V - 3.6V
访问时间:10ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:BGA
引脚数量:54
最大功耗:1.2W
数据保持电压:2V
刷新周期:64ms
W632GG8KB-11 TR 的主要特点之一是其高速访问时间,达到10ns,使其适用于需要快速数据处理的应用。该芯片采用CMOS工艺制造,能够在较宽的电压范围内工作(2.3V至3.6V),提高了其在不同电源条件下的适应性。此外,该芯片的低功耗设计使其在待机或低活动状态下消耗较少的电力,非常适合便携式设备和嵌入式系统。
该芯片还支持自动刷新和自刷新功能,确保数据在断电情况下不会丢失。其BGA封装形式不仅节省空间,还提高了散热性能和电气性能,适用于高密度PCB布局。W632GG8KB-11 TR 还具备良好的抗干扰能力,在复杂的电磁环境中也能稳定工作。
W632GG8KB-11 TR 主要用于需要高速、低功耗存储的嵌入式系统,如工业控制设备、网络通信设备、医疗仪器、汽车电子系统等。其高稳定性和宽温度范围(-40°C至+85°C)使其特别适合在恶劣环境下工作的设备,例如工业自动化控制板、车载导航系统以及远程监控设备。此外,由于其低功耗特性,它也常用于电池供电的便携式设备,如手持终端、智能电表和无线通信模块。
IS61LV25616-10B, CY62148EVLL, IDT71V416SA