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GL514 发布时间 时间:2025/8/27 15:50:28 查看 阅读:10

GL514 是一款由 GSI Technology 生产的高性能异步静态随机存取存储器(Asynchronous SRAM),主要用于需要高速数据存储和访问的应用场景。该器件采用高速CMOS技术制造,提供低功耗、高速度和高可靠性的特点,适用于网络设备、通信系统、工业控制、测试设备等多种高性能系统设计。

参数

类型:异步SRAM
  容量:4Mbit(512K x 8)
  电压:3.3V 或 5V 可选
  访问时间:10ns / 12ns / 15ns(视具体型号)
  封装:TSOP、SOJ、TSOP-II 等多种封装形式
  工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)或商业级(0°C 至 +70°C)可选
  数据总线宽度:8位
  封装引脚数:54-pin 或 44-pin

特性

GL514 采用先进的CMOS工艺制造,具备优异的电气性能和稳定性。其主要特性包括:
  1. 高速访问能力:支持10ns的访问时间,适用于高速缓存和实时数据处理系统。
  2. 宽电压范围:支持3.3V或5V供电,提高了设计灵活性,便于与不同代的系统兼容。
  3. 低功耗设计:在待机模式下具有低功耗特性,适合对功耗敏感的应用场景。
  4. 多种封装形式:提供TSOP、SOJ等多种封装选项,适应不同PCB布局和空间限制。
  5. 高可靠性:工业级温度范围支持确保其在恶劣环境下稳定运行,适用于工业与通信设备。
  6. 简单的异步接口:无需时钟信号,简化了系统设计并降低了时序控制的复杂性。

应用

GL514 主要用于以下类型的应用:
  ? 通信设备中的数据缓存和转发
  ? 工业控制系统中的实时数据存储
  ? 测试与测量仪器中的高速缓冲存储器
  ? 网络路由器和交换机中的快速查找表或队列缓存
  ? 医疗电子设备中的临时数据存储单元
  ? 嵌入式系统中用于提高系统响应速度的高速缓存

替代型号

IS61LV25616-10B4I、CY62148EV30LL、IDT71V416S、AS7C34098A-10TC

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  • GL514
  • TO-18 Type Infrared Emitting Diode
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GL514参数

  • 标准包装100
  • 类别光电元件
  • 家庭红外发射极
  • 系列-
  • 电流 - DC 正向(If)100mA
  • 辐射强度(le)最小值@正向电流-
  • 波长950nm
  • 正向电压1.35V
  • 视角14°
  • 方向顶视图
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-18-2 金属罐
  • 包装-