时间：2025/4/30 20:24:25
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IRF7306TRPBF 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，由 Vishay 提供。该器件采用先进的制程工艺设计，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适合用于便携式设备、电源管理模块以及需要高效能功率切换的应用场景。
这款芯片将两个独立的 N 沟道 MOSFET 集成在一个封装中，极大地节省了 PCB 空间并简化了电路设计。
型号：IRF7306TRPBF
Vds（漏源电压）：20V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：9A
Qg（栅极电荷）：2nC
Vgs(th)（栅源开启电压）：1.1V~2.2V
fsw（最大开关频率）：超过1MHz
封装形式：DFN5x6-8
IRF7306TRPBF 具有以下主要特性：
1. 双通道集成设计，每个通道均是独立的 N 沟道 MOSFET，方便同步整流和其他多路输出应用。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保在大电流应用场景下的效率提升，并减少功率损耗。
3. 快速开关能力，支持高频工作环境，非常适合开关电源、DC-DC 转换器等高频应用。
4. 小型 DFN5x6-8 封装，占用极少的 PCB 面积，同时具备良好的散热性能。
5. 支持较低的驱动电压，兼容主流 PWM 控制器的逻辑电平输出。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
IRF7306TRPBF 广泛应用于以下领域：
1. 同步整流电路中的功率开关。
2. DC-DC 转换器及降压/升压转换器的核心元件。
3. 手机充电器、笔记本适配器等便携式设备的电源管理系统。
4. LED 驱动电路中的功率控制开关。
5. 电池保护和负载切换应用中的电子开关功能。
6. 工业自动化系统中的小型化功率模块。
IRF7307TRPBF, SiA452DJ
