FQPF8N60C-FSC 是一款 N 沫道 场效应晶体管(MOSFET),由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor)生产。该器件采用 TO-252 封装形式,具有高击穿电压和低导通电阻的特点,广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等场景。
这款 MOSFET 的额定漏源电压为 600V,连续漏极电流为 8A,具备快速开关特性和较低的栅极电荷,适合高频应用环境。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:8A
脉冲漏极电流:32A
栅源开启电压:4V
栅源关断电压:-15V
导通电阻:0.9Ω
总栅极电荷:15nC
输入电容:1280pF
输出电容:470pF
反向传输电容:140pF
结温范围:-55℃ 至 150℃
1. 高电压耐受能力,额定漏源电压高达 600V,适用于高压应用场景。
2. 较低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关特性,支持高频工作环境,降低电磁干扰。
4. 栅极驱动要求低,便于与驱动电路匹配。
5. 具备良好的热性能,可承受较高的结温范围。
6. TO-252 封装形式,节省空间且易于安装。
1. 开关电源(SMPS)中的高频开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 逆变器设计中的关键功率器件。
4. 脉冲宽度调制(PWM)控制器中的开关器件。
5. 各种工业自动化设备中的功率转换模块。
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