类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：1000V
　　最大漏极电流（Id）：3A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.5Ω @ Vgs = 10V
　　栅极电荷（Qg）：19nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

STP3N100XI具有多项优良特性，使其在高压功率应用中表现出色。
　　首先，该器件的最大漏源电压为1000V，能够承受较高的电压应力，适用于需要高耐压能力的电路设计。其N沟道结构提供了高效的导通性能，在高电压条件下仍能保持较低的功耗。
　　其次，STP3N100XI的导通电阻（Rds(on)）为2.5Ω，在Vgs=10V时，确保了较低的导通损耗，提高了系统的整体效率。这种低导通电阻特性对于减少功率损耗和提高热性能至关重要。
　　此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）为19nC，使得在高频开关应用中具有更快的响应速度，有助于提高电路的开关效率和稳定性。这种特性对于开关电源和电机控制应用尤为重要。
　　STP3N100XI采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种恶劣环境条件下的应用，如工业控制系统和户外电子设备。
　　最后，STP3N100XI还具备良好的抗雪崩能力和短路保护性能，确保在异常工作条件下器件的可靠性和寿命。

STP3N100XI广泛应用于多种高压和高功率电子系统中。
　　在开关电源（SMPS）中，STP3N100XI作为主开关器件，负责高效的能量转换和调节。其高耐压能力和低导通电阻使其成为电源设计中的理想选择，有助于提高电源转换效率并减少发热。
　　在电机控制应用中，STP3N100XI可用于驱动直流电机、步进电机或无刷电机。其快速开关能力和良好的热稳定性确保电机在高负载条件下仍能可靠运行，同时减少能量损耗。
　　工业自动化设备中，STP3N100XI常用于控制高功率负载，如加热元件、电磁阀和继电器。其高可靠性和耐久性使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。
　　此外，STP3N100XI也适用于LED照明驱动、电池充电器和逆变器等应用。在LED照明系统中，该MOSFET用于调光控制和电流调节，确保光源的稳定性和能效。
　　在消费类电子产品中，如电视、音响和家用电器，STP3N100XI可用于电源管理和功率调节，提升设备的能效和使用寿命。

STP4N100XI, STP3N100K5, STP3N100F02, FQA3N100C