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CJQ60P05 发布时间 时间:2025/8/2 6:32:54 查看 阅读:18

CJQ60P05是一款由国产厂商生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动以及其他需要高效能开关的应用场景。该器件采用了先进的沟槽栅(Trench Gate)技术,具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性,适合用于中高功率的电子系统中。CJQ60P05为P沟道MOSFET,通常用于同步整流、电源切换等电路中。

参数

类型:P沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大连续漏极电流(ID):120A(在TC=25℃时)
  导通电阻(RDS(on)):典型值10.5mΩ(在VGS=-10V时)
  工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

CJQ60P05具有以下主要特性:
  1. **低导通电阻**:CJQ60P05在VGS=-10V时的导通电阻典型值为10.5mΩ,有助于降低导通损耗,提高系统效率,适用于高电流应用。
  2. **高电流能力**:该MOSFET可支持高达120A的连续漏极电流,在高功率密度电源系统中表现出色,适用于大电流开关和负载管理。
  3. **先进的沟槽栅技术**:采用沟槽栅结构设计,优化了电场分布,提高了器件的开关性能和稳定性,同时降低了RDS(on)。
  4. **优良的热性能**:采用TO-263表面贴装封装,具备良好的散热性能,能够在较高温度环境下稳定工作。
  5. **宽工作温度范围**:支持-55℃至+175℃的工作温度范围,适应多种复杂环境,适用于工业级和汽车电子应用。
  6. **高可靠性**:器件设计考虑了长期工作的稳定性,具备较强的抗静电能力和过热保护特性。

应用

CJQ60P05由于其高电流承载能力和低导通电阻,广泛应用于以下领域:
  1. **DC-DC转换器**:在同步整流Buck或Boost转换器中作为主开关或同步整流开关,提升转换效率。
  2. **负载开关**:用于电源管理系统中的负载切换控制,如服务器、工业控制设备、电池管理系统等。
  3. **电机驱动电路**:在H桥或半桥驱动电路中作为功率开关元件,适用于直流电机、步进电机等驱动应用。
  4. **电源管理模块**:用于多路电源切换、热插拔控制、负载均衡等场合。
  5. **汽车电子系统**:如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、车身控制模块等对可靠性和效率有较高要求的场合。

替代型号

Si4410BDY-T1-GE3, AO4406A, FDS6680, IRF9540N

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