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W632GG6MB-15 TR 发布时间 时间:2025/8/20 12:13:23 查看 阅读:18

W632GG6MB-15 TR 是一款由 Winbond 公司生产的串行 NOR 闪存(Flash Memory)芯片,属于其高性能、低功耗存储器产品线的一部分。该芯片广泛应用于需要可靠代码存储和数据存储的嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品等领域。W632GG6MB-15 TR 支持高速读取操作,采用小型封装形式,适合空间受限的设计。

参数

容量:256Mbit(32MB)
  电压范围:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  接口:SPI(串行外设接口)
  读取速度:104MHz
  读取模式:单线/双线/四线输出(Single/Dual/Quad I/O)

特性

W632GG6MB-15 TR 具有多种高性能特性,首先其256Mbit的存储容量适合存储大体积的固件代码或数据。芯片支持多种SPI模式,包括标准SPI、Dual SPI 和 Quad SPI,这大大提高了数据读取速度,适应对性能要求较高的应用场景。该芯片的读取频率高达104MHz,满足高速访问的需求。
  此外,W632GG6MB-15 TR 在电压范围方面表现良好,能够在2.3V至3.6V之间正常工作,使其适用于多种电源管理系统。其宽温工作范围(-40°C 至 +85°C)也确保了在极端温度环境下的稳定运行,适合工业级和汽车电子应用。

应用

W632GG6MB-15 TR 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费类电子产品、车载电子系统以及物联网(IoT)设备等领域。由于其高性能、低功耗和宽温工作范围,特别适合用于需要可靠存储代码或数据的场景,例如固件更新、数据日志记录、图形存储等。此外,其高速SPI接口也使其成为需要快速启动和运行的系统(如智能家电、安防摄像头)的理想选择。

替代型号

W25Q256JV, MX25L25635E, S25FL256S

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W632GG6MB-15 TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)