时间：2025/8/15 1:00:05
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SVT2080UB 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的技术制造，具备低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适合用于如电源适配器、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场合。SVT2080UB 采用PowerFLAT 5x6封装，提供了优异的散热性能和空间利用率。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：80A（在TC=25°C）
最大漏-源电压（VDS）：200V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为5.2mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
SVT2080UB 的主要特性包括超低导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通损耗并提高了整体系统的效率。其导通电阻仅为5.2mΩ（在VGS=10V时），使得该器件在高电流应用中表现出色。此外，该MOSFET具备高耐压能力，最大漏-源电压可达200V，确保其在高压环境下的稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从4.5V至20V的栅极驱动，兼容多种控制电路设计，便于使用标准逻辑电平驱动器进行控制。此外，SVT2080UB 采用了先进的封装技术，PowerFLAT 5x6封装不仅体积小巧，还具有优异的热性能，有助于提高器件在高功率密度设计中的可靠性。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，能够在严苛的工作条件下提供更高的安全性和稳定性。此外，它具有快速开关特性，降低了开关损耗，有助于提高开关电源的效率。
SVT2080UB 主要应用于高效率电源系统，包括但不限于AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统。其低导通电阻和高耐压特性使其在需要高效能和高可靠性的工业控制、消费电子、汽车电子以及通信设备中得到了广泛应用。
在服务器电源和电信电源系统中，SVT2080UB 可用于同步整流、功率因数校正（PFC）电路和高边/低边开关应用。此外，该器件也适用于高功率密度的电源模块设计，如USB PD充电器、太阳能逆变器以及储能系统中的功率开关电路。
STP2080UB, IPP2080UB
