容量：1Mbit
　　组织结构：128K x 8
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：10ns
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　读取电流：最大180mA
　　待机电流：最大10mA

CXK581100TM-10LLX具有高速存取能力，访问时间仅为10ns，能够满足对性能要求较高的系统需求。其低功耗设计在待机模式下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的续航时间。此外，该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），使其在不同电源环境下都能稳定运行。该芯片采用TSOP封装，体积小且便于安装，适合高密度电路板设计。其工作温度范围宽，从-40°C到+85°C，能够适应各种严苛的工业环境。芯片的128K x 8组织结构提供了足够的数据存储空间，适用于需要缓存或临时数据存储的应用场景。同时，该SRAM具备高可靠性和稳定性，能够确保数据在高速读写过程中的完整性。
　　该芯片还具备良好的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。此外，其CMOS工艺技术不仅降低了功耗，还提高了芯片的整体性能。CXK581100TM-10LLX的这些特性使其成为通信设备、工业控制系统、嵌入式系统以及消费类电子产品中的理想选择。

CXK581100TM-10LLX适用于多种需要高速存储的电子设备，包括但不限于路由器、交换机、嵌入式处理器系统、工业控制设备、测试测量仪器以及便携式电子产品。在这些应用中，该芯片可用于存储临时数据、缓存信息或作为主处理器的高速内存扩展。

CY7C1011CV33-10ZSXC、IS61LV10248ALLB4-10BLI、IDT71V128SA10PFG、AS7C31026A-10BCB、FM24C256D