STD120N4LF6 时间：2025/5/13 16:57:38 阅读：5

STD120N4LF6 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沣道场效应晶体管（MOSFET），属于 PowerMOS VI 系列。该器件采用 LFPAK56D 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用。
　　该 MOSFET 的设计旨在优化性能和效率，使其成为消费电子、工业设备以及汽车应用的理想选择。通过其出色的热性能和电气特性，STD120N4LF6 可以在各种条件下提供稳定且高效的运行。

参数

最大漏源电压（Vds）：40V
　　连续漏极电流（Id）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.4mΩ
　　栅极电荷（Qg）：48nC
　　输入电容（Ciss）：3920pF
　　输出电容（Coss）：970pF
　　反向传输电容（Crss）：280pF
　　结温范围：-55°C 至 +175°C

特性

STD120N4LF6 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗并提升系统效率。
　　2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
　　3. LFPAK56D 封装，提供良好的散热性能和紧凑的设计。
　　4. 快速开关特性，减少开关损耗。
　　5. 优异的雪崩能力和鲁棒性，确保在极端条件下的可靠性。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
　　这些特点使得 STD120N4LF6 成为高性能功率管理解决方案的理想选择。

应用

STD120N4LF6 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. 电机驱动和控制电路。
　　3. DC-DC 转换器中的功率级开关。
　　4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
　　5. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
　　6. 工业自动化设备中的功率管理部分。
　　其卓越的性能和可靠性使它能够在各种复杂的功率环境中保持高效和稳定的工作状态。