时间：2025/5/16 14:03:20
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DMN4800LSS-13是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET晶体管。该器件采用微型DFN3030-10封装，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效能、空间受限的应用场景。其典型应用场景包括负载开关、同步整流器、DC-DC转换器以及电池供电设备中的功率管理。
这款MOSFET以其出色的电气性能和紧凑的尺寸著称，能够显著降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：6.7A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷：3.9nC
总电容：950pF
工作温度范围：-55℃至175℃
DMN4800LSS-13的主要特点是其超低导通电阻和高电流处理能力，这使得它在开关应用中能够减少传导损耗，从而提高效率。此外，该器件的DFN3030-10封装不仅体积小，还支持表面贴装技术，非常适合用于便携式电子设备和其他对空间敏感的设计。
另一个重要特性是其宽广的工作温度范围，从-55℃到175℃，这保证了它能够在极端环境条件下稳定运行。同时，快速的开关速度降低了开关损耗，进一步增强了整体效能。
该MOSFET广泛应用于多种领域，主要包括：
1. 移动设备中的负载开关
2. 笔记本电脑及平板电脑的电源管理
3. 同步整流电路
4. DC-DC转换器
5. 电池保护和管理系统
6. 消费类电子产品中的小型化设计解决方案
由于其高性能和紧凑外形，DMN4800LSS-13成为需要高效能和节省空间的电路设计的理想选择。
DMN4801LSS-13, DMN4802LSS-13, PMN4800ECS-13
