时间：2025/4/28 21:16:31
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IPD110N12N3 G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率、高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。它通常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。
该芯片的工作电压高达 120V，可满足多种工业和消费类电子设备的需求。同时，其封装形式紧凑，便于设计者进行高效的 PCB 布局。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：110A
导通电阻：3mΩ（典型值）
栅极电荷：48nC（典型值）
开关时间：ton=17ns，toff=26ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
IPD110N12N3 G 的主要特点是其超低的导通电阻，这使其在大电流应用中表现出色。此外，其快速的开关速度能够有效减少开关损耗，从而提升整体效率。
该器件还具备出色的热性能，能够承受较高的结温范围，确保在极端条件下仍能稳定运行。同时，其高雪崩能量能力增强了器件的鲁棒性，适合需要可靠保护的应用场景。
由于采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，IPD110N12N3 G 在动态和静态特性上均表现出色，为工程师提供了更高的灵活性和性能优化空间。
该 MOSFET 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动电路
4. 工业自动化控制
5. 新能源汽车中的电池管理系统（BMS）
6. 太阳能逆变器和其他高效能源转换设备
IPD110N12N3 G 的高效率和可靠性使得它成为这些应用的理想选择。
IPW110N12N3 G, IRF1104S
