晶体管类型：PNP型BJT
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大耗散功率（PD）：200mW
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-323

2SA8440TZ 的主要特性之一是其出色的高频性能，过渡频率（fT）达到100MHz，这使得它非常适合用于射频和中频放大器。此外，该晶体管的低噪声系数使其在音频放大电路中也能表现出色，有助于提高信号的清晰度和保真度。
　　该晶体管的工作电压范围较宽，集电极-发射极电压（VCEO）最大可达50V，适用于多种电源条件下的电路设计。最大集电极电流为150mA，能够满足中等功率放大和开关应用的需求。同时，其低饱和压降（VCE(sat)）有助于减少功率损耗，提高能效。
　　2SA8440TZ 采用SOT-323小型封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的热稳定性。该晶体管的工作温度范围从-55°C到+150°C，适应各种严苛的工作环境，适用于工业级和消费类电子产品。
　　此外，该晶体管的引脚排列设计合理，易于焊接和替换，方便在维修和调试过程中进行更换。其电气特性和机械特性均符合行业标准，确保在各种应用场景中的可靠性和稳定性。

2SA8440TZ 主要应用于高频放大电路、射频（RF）模块、中频（IF）放大器、音频放大器、开关电路以及便携式电子设备中的功率管理模块。此外，它还广泛用于无线通信设备、蓝牙模块、Wi-Fi模块、传感器电路以及各类消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
　　在射频应用中，该晶体管常用于低噪声放大器（LNA），以增强微弱信号并提高接收灵敏度。在音频放大方面，它可用于前置放大器或驱动级放大器，提供高质量的音频输出。在开关应用中，2SA8440TZ 可用于控制小功率负载的导通与关断，例如LED驱动、继电器控制等。
　　由于其小型封装和低功耗特性，该晶体管也适用于电池供电设备，有助于延长设备的续航时间。在工业自动化和物联网（IoT）设备中，该晶体管常用于信号处理和通信接口电路，确保数据的稳定传输。

2SA1015、2SA955、2SA1245、2SA1308