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W631GU8MB11I TR 发布时间 时间:2025/8/21 1:49:32 查看 阅读:7

W631GU8MB11I TR 是由 Winbond 公司生产的一款 NOR 闪存(Flash Memory)芯片,专为高性能和高可靠性需求的应用设计。这款芯片属于 Winbond 的高性能 NOR Flash 系列,具有高速读取、低功耗和大容量存储等优点。W631GU8MB11I TR 特别适用于需要快速访问和高稳定性的嵌入式系统,如网络设备、工业控制、车载系统和消费类电子产品。该芯片采用标准的封装形式,符合 RoHS 环保标准,并支持多种电压操作,使其在各种应用场景中具备良好的适应性。

参数

容量:128Mbit
  组织结构:16位x8
  电压范围:2.3V - 3.6V
  访问时间:55ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:56
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:并行

特性

W631GU8MB11I TR 具有多种显著特性,首先是其高达 128Mbit 的存储容量,满足复杂嵌入式系统对程序存储和数据存储的需求。芯片支持 16位x8 的组织结构,提供高效的并行数据传输能力,使得读取速度更快,适用于实时数据处理和高速缓存应用。
  在电气特性方面,W631GU8MB11I TR 的供电电压范围为 2.3V 至 3.6V,具备良好的电压适应性,能够在多种电源条件下稳定运行。同时,该芯片的访问时间为 55ns,确保了快速的数据读取能力,适合对响应时间要求较高的系统应用。
  该芯片采用 56 引脚 TSOP 封装,符合工业标准,便于在 PCB 设计中进行布局和焊接。此外,W631GU8MB11I TR 支持宽温工作范围(-40°C 至 +85°C),适用于严苛的工业环境和车载系统,确保在极端温度条件下依然保持稳定性能。
  在功能方面,W631GU8MB11I TR 提供了多种保护机制,如硬件写保护和软件写保护,以防止误写操作和数据丢失。这使得芯片在需要高数据完整性的应用中表现出色,例如工业控制设备和网络基础设施。
  最后,该芯片具有低功耗设计,在待机模式下功耗极低,有助于延长电池供电设备的续航时间。结合高速访问和低功耗特性,W631GU8MB11I TR 非常适合用于对性能和能效都有较高要求的嵌入式系统。

应用

W631GU8MB11I TR 主要用于需要高速访问、高可靠性和低功耗特性的嵌入式系统。例如,在网络设备中,它可用于存储固件代码和关键配置数据,确保设备快速启动和稳定运行。在工业控制系统中,该芯片可用于存储控制逻辑、操作参数和诊断信息,提高系统运行的稳定性和可维护性。
  此外,W631GU8MB11I TR 在车载电子系统中也具有广泛的应用前景,例如仪表盘控制、车载娱乐系统和驾驶辅助系统。其宽温范围和高可靠性能够满足汽车电子对环境适应性的严格要求。
  在消费类电子产品中,如智能电视、机顶盒和可穿戴设备,W631GU8MB11I TR 可用于存储操作系统、应用程序和用户设置,支持快速启动和流畅的用户体验。由于其低功耗特性,该芯片也适用于电池供电设备,有助于延长设备使用时间。
  在通信设备中,如路由器和交换机,W631GU8MB11I TR 能够作为启动代码和配置数据的存储介质,确保设备快速启动并保持稳定运行。在物联网(IoT)设备中,该芯片可以用于存储固件更新和本地数据缓存,提升设备的自主性和响应速度。

替代型号

AM29LV128M, MX29GL128S

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W631GU8MB11I TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-VFBGA
  • 供应商器件封装78-VFBGA(10.5x8)