时间：2025/9/19 23:07:15
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SD16729P是一款由华润微电子推出的高性能、高可靠性的P沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电池保护、负载开关以及DC-DC转换等场景。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，能够在低电压应用中提供极低的导通电阻和优异的开关性能。其封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装封装，适合对空间要求较高的便携式电子设备设计。由于其具备良好的热稳定性和电气特性，SD16729P在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及物联网终端中得到了广泛应用。
该器件的主要优势在于其低阈值电压（Vgs(th)），使其能够兼容3.3V或更低的逻辑电平控制信号，从而可以直接由微控制器或其他低压驱动电路进行驱动，无需额外的电平转换电路。此外，SD16729P具有较高的栅极-源极击穿电压，增强了在瞬态电压冲击下的可靠性。产品符合RoHS环保要求，并通过了严格的可靠性测试，适用于工业级工作温度范围。
型号：SD16729P
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：-20V
最大栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：-4.1A
脉冲漏极电流(Id_pulse)：-8.2A
导通电阻(Rds(on))：32mΩ @ Vgs = -4.5V
导通电阻(Rds(on))：40mΩ @ Vgs = -2.5V
导通电阻(Rds(on))：50mΩ @ Vgs = -1.8V
阈值电压(Vgs(th))：-0.4V ~ -1.0V
输入电容(Ciss)：450pF
输出电容(Coss)：230pF
反向传输电容(Crss)：50pF
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-23
SD16729P采用先进的沟槽型MOSFET工艺设计，在P沟道器件中实现了极低的导通电阻，显著降低了在电源通路中的功率损耗，提高了系统整体效率。其Rds(on)在-4.5V的栅源电压下仅为32mΩ，而在更常见的低压控制环境如-2.5V时仍能保持在40mΩ以内，这使得它非常适合用于电池供电系统中的负载开关或反向电流阻断电路。低导通电阻不仅减少了发热，也允许更高的持续电流通过，提升了系统的负载能力。
该器件的阈值电压范围为-0.4V至-1.0V，属于超低阈值类型，支持在低至1.8V的逻辑电平下实现有效导通，因此可以与现代低电压数字控制器（如MCU、FPGA或电源管理IC）直接接口，简化了外围电路设计，节省了PCB空间并降低了系统成本。同时，其栅极耐压可达±12V，提供了足够的安全裕量，防止因电压瞬变导致的栅氧层击穿，增强了长期运行的稳定性。
在高频开关应用中，SD16729P表现出优良的电容特性，输入电容仅为450pF，输出电容230pF，反向传输电容（Crss）低至50pF，有助于减少驱动损耗和开关延迟，提升开关速度。这对于需要快速响应的电源切换或同步整流应用尤为重要。此外，器件具备良好的热性能，尽管采用SOT-23小封装，但在适当的PCB布局下仍能有效散热，满足持续工作的热管理需求。
SD16729P还具备较强的抗雪崩能力和静电防护能力，经过严格的质量管控和可靠性验证，可在-55°C至+150°C的结温范围内稳定工作，适用于严苛的工业与消费类应用场景。其无铅、无卤素的设计符合现代绿色电子产品的环保标准，支持回流焊工艺，便于自动化生产装配。
SD16729P常用于各类便携式电子设备中的电源管理模块，典型应用包括电池供电系统的电源开关、过流保护电路中的通断控制、DC-DC降压或升压变换器中的同步整流元件、以及热插拔电路中的隔离开关。在移动设备中，它可用于主电源路径的通断控制，实现待机模式下的零功耗或低功耗运行，延长电池续航时间。
此外，该器件适用于各类负载开关电路，例如显示屏背光供电控制、外设电源域管理、USB端口电源开关等。在这些应用中，SD16729P凭借其低导通电阻和快速响应能力，能够有效降低电压跌落和能量损耗，提高系统效率。由于其P沟道结构，控制逻辑简单，通常只需将栅极拉低即可导通，拉高则关断，非常适合由GPIO直接驱动的场景。
在反向电流阻断应用中，SD16729P可替代传统肖特基二极管，实现更低的正向压降和更高的能效，尤其在双电源冗余供电系统或多电池切换系统中表现出色。其小型SOT-23封装使其成为高密度PCB布局的理想选择，广泛应用于智能手机、TWS耳机、智能手表、无线传感器节点等对体积敏感的产品中。
AP2302GN\nDMG2302UK\nSI2302DS\nFMG2302
