CS2012X7T475K250NRE 是一种陶瓷电容器,属于 X7R 温度特性的多层陶瓷电容器(MLCC)。这种电容器通常用于电源滤波、去耦和信号耦合等应用。该型号的特点是具有较高的稳定性和可靠性,适合在各种电子设备中使用。
其命名规则中,'CS2012' 表示封装尺寸(2012 mils),'X7T' 表示温度特性为 X7R 类型,'475K' 表示标称电容值为 4.75μF,'250' 表示额定电压为 25V,'NRE' 则表示耐湿等级和其他定制选项。
封装尺寸:2012 mils (5.08 x 3.05 mm)
电容值:4.75 μF
额定电压:25 V
温度特性:X7R (-55°C 至 +125°C)
公差:±10%
直流偏置特性:较低
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
绝缘电阻:高
ESR:低
CS2012X7T475K250NRE 具有以下主要特性:
1. 高稳定性:由于采用 X7R 材料,该电容器在宽温范围内表现出良好的电容稳定性,适合需要高精度的应用。
2. 小型化设计:2012 封装使得它非常适合空间受限的设计环境。
3. 低 ESR 和 ESL:这有助于提高电源系统的效率,并减少高频噪声的影响。
4. 耐湿性能强:具备一定的防潮能力,适用于恶劣环境下的应用。
5. 符合 RoHS 标准:环保且满足国际法规要求。
此外,这种电容器在直流偏置下的电容变化较小,因此能够保持较稳定的性能表现。
CS2012X7T475K250NRE 广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及通信系统等领域。具体包括:
1. 电源滤波:在开关电源或线性电源中用于平滑输出电压,消除纹波。
2. 去耦:为 IC 提供稳定的供电电压,减少电源噪声对电路的影响。
3. 信号耦合:在音频和射频电路中传递交流信号,同时隔离直流成分。
4. 振荡电路:作为定时元件参与振荡器设计。
5. 能量存储:在短时间内的能量缓冲作用,例如摄像头闪光灯电路。
总之,该型号电容器凭借其高性能和可靠性,在多种类型的电子电路中发挥重要作用。
CS2012X7T475M250NRE
CS2012X5R475K250NRE
GRM21BR60J475ME11