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W631GU8KB12I TR 发布时间 时间:2025/8/21 3:24:03 查看 阅读:14

W631GU8KB12I TR 是Winbond公司生产的一款高性能、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用CMOS工艺制造,提供高速的数据访问能力,适用于需要快速存储和数据缓冲的电子设备。其封装形式为TSOP(薄型小外形封装),适合在空间受限的应用中使用。W631GU8KB12I TR的工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品和汽车电子等多种应用场景。

参数

存储容量:64 Mbit
  组织方式:8 M x 8(即8位宽)
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:12ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:并行异步接口
  封装引脚数:54
  封装尺寸:标准TSOP

特性

W631GU8KB12I TR是一款高速异步SRAM,其最大访问时间为12ns,能够满足高速数据存取的需求。该芯片支持异步读写操作,无需时钟信号控制,操作灵活,适合多种系统架构。其CMOS工艺设计使其在保持高性能的同时,具有较低的功耗,特别适用于对功耗敏感的嵌入式系统和便携式设备。
  该芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V,具有良好的电源兼容性,可以在多种电压供电环境下稳定工作。其TSOP封装设计节省空间,适用于紧凑型电子设备的布局。
  此外,W631GU8KB12I TR的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,适用于严苛的工业和汽车电子环境。其高可靠性和稳定性使其成为工业控制、网络设备、通信模块、测试仪器以及消费类电子产品中理想的数据存储解决方案。
  该芯片的并行接口支持8位数据宽度,便于与多种微处理器和控制器直接连接,简化了系统设计并提高了整体性能。同时,该SRAM具有良好的抗干扰能力和数据保持稳定性,能够在复杂电磁环境中长期稳定运行。

应用

W631GU8KB12I TR SRAM芯片广泛应用于各种高性能嵌入式系统和电子设备中。其主要应用领域包括工业自动化控制系统、网络通信设备、路由器和交换机、测试与测量仪器、医疗电子设备、汽车电子模块、便携式消费电子产品等。由于其高速存取能力和低功耗设计,该芯片特别适合用于需要快速缓存、临时数据存储和高速缓冲存储器的场景。

替代型号

IS62WV5128BLL-12BLI, CY62148EAV25-12ZE3, A631GU8KB12I, W631GU8KB12

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W631GU8KB12I TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-WBGA(10.5x8)