时间：2025/3/28 14:08:20
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TMCJD6ST1360C 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它广泛应用于各种功率转换和电机驱动场景，例如 DC-DC 转换器、逆变器和负载开关等。
TMCJD6ST1360C 的封装形式为 TO-220，这种封装形式能够提供良好的散热性能，适合需要高效功率管理的应用场合。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：13A
导通电阻（典型值）：5.5mΩ
栅极电荷：27nC
总功耗：140W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，支持高频应用，减少磁性元件体积。
3. 强大的过流能力和热稳定性，确保在严苛环境下的可靠运行。
4. 内置反向二极管，简化电路设计并提升效率。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
这些特性使 TMCJD6ST1360C 成为高效功率转换的理想选择。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 通信设备中的负载开关。
4. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其出色的性能和可靠性，该器件在各种功率密集型应用中表现出色。
TMCJD6ST1360K, IRFZ44N, FDP18N6S
